日本xilinx

　　采用全新 Intel Xeon 6 处理器的 Supermicro X14 系统具有 E-core 和 P-core 版本之间的引脚兼容性。当前和未来的 Supermicro 系统的特点是，每个节点多达 576 个核心、高达 8800 MT/s 的 DDR5-6400 和 MCR DIMM、CXL 2.0、更广泛的 E1.S 和 E3.S 支持以及高达 400G 的网络支持。
日本xilinxPXI 40-121模块采用多路MS-M连接器，所有52个引脚(SPST开关)分布在两个连接器之间，大大加快了连接和断开的速度。40/42-590和65-290系列采用带绝缘盖的MMCX微型同轴连接器，提供紧凑的单端口，降低布线复杂性，从而达成使用loop-thru来简易地拓展矩阵规模的目的。
　　基于Arm Cortex-M0核心，NuMicro M091系列运行工作频率高达 72 MHz、搭载32 KB至64 KB的Flash memory、8 KB的SRAM，以及2.7V至3.6V的工作电压。NuMicro M091系列不仅在性能上有所突破，同时拥有丰富的模拟周边，搭配4组12位DAC和多达16信道12位2 MSPS的ADC。

　　移远在模组开发的过程中，一直将安全置于核心位置，从产品架构到固件/软件开发，均遵循领先的行业实践和标准，通过第三方独立测试机构减少潜在漏洞，并将生成SBOMs和VEX文件等安全实践以及执行固件二进制分析纳入整个软件开发生命周期中。
　　LED符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，采用8 mm卷带包装，ESD耐压高达2 kV，满足JESD22-A114-B要求，根据JEDEC Level 2a进行预处理，适合J-STD-020红外回流焊工艺和自动拾放贴片机加工。
日本xilinx全新MOSFET产品组合共包含10款产品：5款RDS(on) 级（11至45 mΩ）产品采用开尔文源TOLL和 DPAK-7 封装以及.XT 封装互连技术。在Tvj = 25°C 时，其漏极-源极击穿电压为400 V，因此非常适合用于2级和3级转换器以及同步整流。这些元件在苛刻的开关条件下具有很高的稳健性，并且通过了100%的雪崩测试。
　　村田制造所的该新产品采用Semtech公司的LoRa芯片组LR1110，支持860MHz至930MHz的频率，可实现上限22dBm的长距离通信。此外，还配备了以获取位置信息为目的的GNSS（GPS/BeiDou）及Wi-Fi被动扫描功能，Type 2DT无需其他设备就可实现长距离通信和位置信息获取。由此可缩短客户产品投放市场的时间，并有助于降低成本。
　　TX3系列器件采用B（EIA 3528-21）和C（EIA 6032-28）封装，容值范围10 F至100 F，额定电压16 V至25 V，容差低至± 10 %。器件+25 °C下ESR为0.700 W至2.3 W，纹波电流为0.438 A，工作温度高达+125 °C。TX3系列器件采用无铅（Pb）端子，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。

　　美光利用其 1β（1-beta）技术、先进的硅通孔（TSV）和其他实现差异化封装解决方案的创新技术开发出业界领先的 HBM3E 设计。美光作为 2.5D/3D 堆叠和先进封装技术领域长久以来的存储领导厂商，有幸成为台积电 3Dfabric 联盟的合作伙伴成员，共同构建半导体和系统创新的未来。
日本xilinxOPTIGA Authenticate NBT通过使用NFC（近场通信）技术，为物联网设备与支持非接触式读卡功能的智能设备(如智能手机)间的相互通信提供便利，实现该场景下，对大数据量的无缝且高速数据传输需求的方案的落地。
　　英飞凌全新的PSOC Edge E81、E83和E84 MCU基于高性能的ArmCortex-M55内核，支持Arm HeliumDSP指令集并搭配Arm Ethos-U55神经网络处理器，以及Cortex-M33内核搭配英飞凌超低功耗NNLite（一种用于加速神经网络的专有硬件加速器）。
这次我们实现了“LSCND1006HKT2R2MF”的商品化，将本公司传统产品“LSCNB1608HKT2R2MD”（1.6×0.8×0.8mm）的体积减少约 5 成，同时直流叠加允许电流值确保为 0.8A，直流电阻也为 375mΩ，实现了低电阻。