安森美半导体

因此，电源电路需要兼顾小型化和高效率。在这样的电源电路中，需要具有能够支持大电流的小型高电感且直流电阻低的功率电感器。
安森美半导体与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN?晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
RV-8063-C8与RV-8263-C8两款产品，分别搭载了SPI与IC总线接口，在追求尺寸的PCB设计中，它们成为了独立纳米功耗（190nA）计时功能的典范之作。

　　CoolGaNBDS高压产品分为650 V 和 850 V两个型号，采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。该系列半导体器件基于栅极注入晶体管（GIT）技术，拥有两个带有衬底终端和独立隔离控制的分立栅极。
下一代激光器能够在环境光很高的环境中提供的测距性能和接近检测准确度。此外，传感器还内置一个处理器，可实现省电的自主操作模式，降低对主控制器系统的资源需求。
在振动频率为10Hz-2000Hz，加速度147m/s?的振动测试中，产品瞬断时长≦1μs。满足高频振动环境下，设备对连接器公母端子间的接触稳定性要求。
　　三星计划通过向移动处理器生产商，和移动设备制造商供应0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，继续扩大低功耗DRAM的市场。随着市场对高性能、高密度且封装尺寸更小的移动存储解决方案的需求持续增长，三星计划开发6层24GB和8层32GB的模组，为未来设备打造超薄的LPDDR DRAM封装。
ISM330BX 还集成了意法半导体的边缘处理引擎。该边缘处理器整合了机器学习核心 (MLC)、人工智能 (AI) 算法和有限状态机 (FSM)，可减轻主处理器的运算量，降低系统能耗。

　　TSB952的电源电压范围是4.5V-36V，具有很高的设计灵活性，可使用包括行业标准电压轨在内的多种电源。此外，宽压电源有助于系统承受较大的瞬态峰压和电压降。新运算放大器还具有轨到轨输出压摆，可满足应用设计的宽动态范围要求，例如，电源信号调理。
安森美半导体推出专为电子引爆系统设计的新型系列TANTAMOUNT表面贴装固体模压型片式钽电容器—TX3。Vishay Sprague TX3系列器件机械结构牢固，漏电流（DCL）低，具有严格的测试规范，性能和可靠性优于商用钽电容器和MLCC。
　　电流传感器（CMS）是主控芯片AC7801x的主要应用场景之一。电池管理系统的性能作为新能源电动汽车的核心，直接关系到车辆寿命、行驶里程、车辆经济性和安全性；电池管理系统监控的准确性和执行动作的可靠性，则依赖各类传感器，其中电流传感器作为核心的功能之一，对功能安全的要求也越来越高。
　太阳诱电株式会社开始了多层型金属功率电感器 MCOIL LSCN 系列“LSCND1006HKT2R2MF” (1.0×0.6×0.8mm，高度为值) 等 2 个尺寸 2 个产品的量产。