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因此,迄今为止,通常使用分立元件在干扰天线上形成被称为储能电路*4的滤波器功能来抑制天线间的干扰。然而,该方法存在一个问题:由于受到储能电路的插入损耗*5影响,虽然受到干扰的天线的特性得到了改善,但插入储能电路一侧的天线特性会劣化。
美台  Power Integrations发布了一份新的设计范例报告(DER-952Q),重点展示了额定耐压1700V的InnoSwitch3-AQ IC所实现的高集成度。这款结构紧凑、外形小巧的电源可在85°C环境温度下,在300VDC至900VDC输入范围内提供86W的全功率输出。这是一款无散热片设计,其效率超过92%,并且仅使用62个元件。13.5V输出配置可使该设计取代车辆的12V辅助电池。
  Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET,Rds(on)范围为1.8至15mΩ,100V器件的Rds(on)范围为2.07mΩ以上。
  该公司表示:“许多MOSFET制造商在将其器件的开关性能与其他产品进行比较时,专注于通过低Qg(总)和低Qgd来实现高效率。然而,Nexperia认为Qrr同样重要,因为它会影响尖峰效应,进而影响器件切换过程中产生的电磁干扰(EMI)量。
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CCP550系列是一款易于集成、高功率密度、高效率的解决方案,适用于广泛的无风扇和风扇冷却应用,包括医疗设备、工业电子产品以及测试和测量。该产品也支持密封、半密封和其他高IP等级的使用,能够在传导冷却时运行。
  随着工业边缘计算场景的丰富,智能化设备、机器人、自动驾驶等应用对端侧算力的需求快速增长,传统工业级嵌入式处理器在处理能力、实时响应速度和多任务处理等方面已显示出局限性,无法满足这些新兴应用对高性能计算的需求。
  技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens,股票代码688213),全新推出工业面阵5MP全局快门近红外增强CMOS图像传感器SC538HGS。SC538HGS基于思特威先进的SmartGSTM-2 Plus技术,搭载了Lightbox IR?近红外增强技术,具备高感度、高分辨率、高信噪比、低功耗四大优势性能。
REC10K、REC20K 和 REC30K 系列的功率分别为 10 W、20 W 和 30 W,具有 4:1(9-36 VDC 或 18-75 VDC)输入电压范围,提供多种稳压输出电压选项:3.3 V、5 V、9 V、12 V、15 V、24 V、+/-5 V、+/-12 V、+/-15 V 和 +/-24 V(仅限 REC10K)。此外,REC30K 还具有 2:1 (36-75 VDC) 输入电压范围,而且效率更高。单路输出可在 +/-10% 范围内微调,并提供开/关控制功能。
  新产品采用东芝专有的SOI工艺(TarfSOI),实现了非常高的带宽:TDS4B212MX的-3 dB带宽(差分)为27.5 GHz(典型值),TDS4A212MX为26.2 GHz(典型值),在业界处于领先地位[1]。因此,新产品可用作PCIe5.0、USB4和USB4Ver.2等高速差分信号的Mux/De-Mux开关。
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这种创新解决方案允许工程师定制TacHammer DRAKE电机的性能,提供增强的触觉反馈,无需定制触觉电机。
美台藉由搭载低功耗双存取同步动态随机存取内存 (LPDDR)及奇景开发的动态随机存取内存控制器(DRAM Controller),其功耗在工作模式下小于300毫瓦(mW),睡眠模式下小于2毫瓦(mW),使电子纸产品的充电周期显著延长。
德州仪器此次发布的DRV7308也是该企业第将氮化镓用于IPM中,该产品集成6只氮化镓功率模块,与现有解决方案相比,该产品利用氮化镓技术助力家电和暖通空调(HVAC)系统逆变器效率达到99%以上,并提升了热性能,使功耗降低50%。
这些商品从 2024 年 5 月开始在本公司的子公司和歌山太阳诱电(和歌山县日高郡印南町)开始了量产。

分类: 罗姆芯片