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　　凭借 10V 栅极驱动器，该公司声称第 8 代的栅极电荷比其 CFD7 MOSFET 低 18%，比 P7 低 33%。“在400V电压下，该产品系列的输出电容比CFD7和P7低50%，”它补充说。“与CFD7相比，[CFD7和P7]的关断损耗降低了12%，反向恢复费用降低了3%。”
stmcuActiveProtect是我们多年累积客户实际部署反馈和研发经验的成果。我们相信，ActiveProtect可取代过往复杂且成本高昂的数据保护方案，为企业实现真正的降本增效，甚至超越企业对数据保护方案的固有理念。
　　这些汽车器件符合 AEC-Q100 汽车行业标准，采用 2mm x 2mm DFN6L 侧翼可润湿封装，可简化 PCB 设计，方便自动化光学检查。宽压输入允许把稳压器连接到瞬态电压高达 40V 的汽车的12V电源总线，为息娱乐系统、仪表板和驾驶员辅助系统 (ADAS) 供电。由于其低静态电流和低待机电流，因此特别适用于电动汽车。

这些低功耗设备包含非易失性存储器，支持非接触式通信、射频能量回收和生物识别，具有智能卡行业级芯片模块和晶圆级芯片封装。
。在台积电2024北美技术研讨会上，M31展示了两大产品线，包括标准单元、内存编译器、GPIO、专用I/O等基础IP，以及当前应用市场的高速接口IP ，例如 PCIe 5.0 PHY、ONFi 5.1 I/O、LPDDR4/4X PHY 和 LPDDR5/5X PHY。M31还推出了5nm MIPI C/D PHY Combo IP，符合的D-PHY v2.5和C-PHY v2.0规范。该 IP 提供高性能、低功耗解决方案，每通道速度高达 6.5Gb/s，每三重组速度高达 6.5Gs/s，总速度高达 44.5Gb/s，满足当前对高性能的需求。速度数据传输，特别适用于移动通信、汽车、人工智能（AI）和物联网（IoT）。
stmcuTMR4101磁栅传感器芯片与磁极距为0.4mm的多对极磁栅配套使用。当芯片沿着磁栅的长度方向移动时，其内置的两个推挽式TMR半桥结构分别输出相位差为90°的正弦和余弦信号，信号的周期与相邻的一对南北磁极的总长度0.8mm相对应。基于TMR技术优异的高灵敏度和低噪声特性，TMR4101的正弦和余弦输出信号可通过模拟前端调理电路和数字信号解算完成对微位移的精准测量，在典型应用场景中可达到微米级的重复定位精度。
　　这款新型接近传感器可用于智能手机和智能手表屏幕的自动唤醒和关闭，此外还可以检测用户是否佩戴真无线立体声（TWS）耳机、虚拟现实/增强现实（VR / AR）头盔和智能眼镜。为降低这些应用的成本，VCNL36828P智能双I2C从机地址可连接两个接近传感器，无需采用多路复用器。
所有半导体器件均采用英飞凌的自主芯片连接技术，在同等裸片尺寸的情况下赋予芯片出色的热阻。高度可靠的栅极氧化层设计加上英飞凌的标准保证了长期稳定的性能。

　　高压化应用的普及需满足各类严苛的安规要求。通过纳芯微自有的技术，NSI7258可在SOW12封装下实现业内领先的5.91mm副边爬电距离，同时原边副边爬电距离也达到8mm，满足国际电工委员会制定的IEC60649要求。此外，凭借纳芯微卓越的电容隔离技术，NSI7258的隔离耐压能力高达5kVrms，全面满足UL、CQC和VDE相关，可降低客户系统验证时间，加速产品上市。
stmcu1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。
　　MPPS电源非常符合军用标准，包括 MIL-STD-1399-300B、461F和810G。这种先进的设备为海军舰艇上常见的不平衡三相负载挑战提供了解决方案。MPPS符合MIL-STD-1399-300B标准，将船舶的相电流平衡保持在±5%以内，潜艇的相电流平衡保持在±3%以内，同时提供严格调节的直流电源。
　　万物电气化推动了碳化硅 （SiC）技术在交通、电网和重型汽车等中高压应用领域的广泛采用。为了帮助开发人员部署SiC解决方案并快速推进开发流程，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出采用Augmented Switching技术的3.3 kV XIFM 即插即用mSiC?栅极驱动器。该驱动器采用预配置模块设置，开箱即用，可显著缩短设计和评估时间。