赛普拉斯芯片

“美光 9550 SSD 标志着数据中心存储的重要飞跃，它提供了惊人的 330 万 IOPS，同时在 GNN 和 LLM 训练等 AI 工作负载中，比同类 SSD 功耗降低了高达 43%。这款产品将更高的性能与出色的能效相结合，为 AI 存储解决方案树立了新标杆，彰显了美光在引领 AI 革命方面的坚定承诺。”
赛普拉斯芯片　　MiNexx3000称重平台安装在工作台上，可用于需要高精度称量小批量物品的任何地方。无论是在工厂生产区还是在实验室，MiNexx3000均可用于进行基本称重、检重和完整性检查，或高精度地进行配料、分类、分拣和计数等工序。150多年来，茵泰科一直致力于生产高品质的称重解决方案，并始终将市场的宝贵反馈意见融入到产品创新中。
　　通常，汽车系统中电子设备的寿命与其工作的温度直接相关，为了确保车辆持久耐用，如功率级场效应晶体管等组件能够长时间正常运行，温度传感器必须保证极高可靠性且漂移量。而传感器材料会影响漂移量，比如基于硅的温度传感器几乎无时漂现象，而电阻式温度传感器的漂移范围大概为每年±0.1°C ~±0.5°C，传统的负温度系数（NTC）热敏电阻的温漂通常会随时间而超过5%（不包括外部组件的漂移）。同时，随着系统的老化，温度传感器误差的增加，会限制系统效率并迫使其提前关闭或导致组件的热损坏。

　　SIM（用户身份模块）能够对电信运营商网络中的设备进行身份验证。SIM拥有不同的封装形式，而且尺寸随着时间的推移不断缩小，以满足设备制造商节省空间的需求。
英飞凌提供的丰富高性能MOSFET和GaN晶体管产品组合能够满足AI服务器电源对设计和空间的苛刻要求。我们致力于通过CoolSiC MOSFET 400 V G2等先进产品为客户提供支持，推动先进AI应用实现能效。
赛普拉斯芯片　　ROM-2620采用NXP i.MX 8ULP处理器，具有2颗Arm Cortex-A35内核，拥有强大的计算处理能力，还有2个Arm Cortex- M33内核可用于实时响应，以及一个Cadence Tensilica Hifi 4 DSP和Fusion DSP用于高效的边缘AI/ML处理和加速。i.MX 8ULP处理器采用先进的28nm FD-SOI工艺技术，采用NXP的Energy Flex架构，在静态和动态模式下都能实现低功耗。
在全数字控制电源中，可以由低位微控制器来处理由高速CPU*3和DSP*4等数字控制器承担的功能，从而能以低功耗和低成本来实现模拟控制电源难以实现的高性能。另外，该解决方案可以在LogiCoA微控制器中存储电流和电压值等各种设置值，因此可根据电源电路补偿外围元器件的性能波动。
　　Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的发布，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求—包括功率因数校正（PFC）和后面的DC/DC转换器砖式电源。

　　纳微发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，其采用了型号为G3F45MT60L（额定电压为650V、40mΩ，TOLL封装）的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC上使用型号为NV6515（额定电压650V，35mΩ，TOLL封装）的GaNSafe?
赛普拉斯芯片　　根据各自独特的部署要求，运营商需要主时钟能够从支持极少数客户端扩展到支持众多客户端。2.4版TP4100可为2000 个时间协议（PTP）客户端提供服务，无需部署多个主时钟，即可为大量基站提供的时间同步。
　　三星轻薄型LPDDR5X DRAM的封装厚度仅0.65mm，散热控制能力更强，适合端侧AI在移动端的应用
　　LPDDR封装采用12纳米级工艺，四层堆叠，在提升Die密度的同时，减少厚度，提高耐热性
　　三星电子今日宣布其业内薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM（内存）开始量产，支持12GB和16GB容量。这将进一步巩固三星在低功耗内存市场的地位。
从超高端层级的S7、高端层级的S5到中端层级的S3，高通技术公司致力于通过全部的产品组合提升音频体验。我们很自豪地宣布推出强大的全新高通S5和S3音频平台，助力推动新一代音频创新。消费者希望以更实惠的价格获得更丰富的特性和体验，而得益于与全球创新性的音频技术的广泛合作，高通语音和音乐合作伙伴扩展计划将为OEM厂商提供显著的竞争优势和更强大的差异化能力。此外，面向高端层级终端，第三代高通S5音频平台采用全新架构并提升AI功能，为OEM厂商提供一个开发智能终端的平台，在监测用户使用环境的同时，根据终端使用状态作出相应响应。