diodes半导体

　　英飞凌科技股份公司推出了一系列适用于工业和消费电机控制以及电源转换系统应用的新型微控制器 (MCU)。基于 Arm Cortex -M33 内核的PSOC控制 MCU提供板载功能，旨在提高下一代电机控制和电源转换系统的性能和效率。这些应用包括家用电器、电动工具、可再生能源产品、工业驱动器以及照明和计算/电信电源。
diodes半导体首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET—SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。
　　车规级PSoC4100S Max通过了AECQ-100，能够承受高达125 °C的环境温度，还支持ASIL-B（达到ISO 26262标准），可帮助集成商实现汽车应用的系统级合规。由于得到英飞凌ModusToolbox?开发平台的支持，开发者能够通过该器件轻松实现各种用例。

　　该系列提供各种通孔和表面贴装封装，帮助设计人员实现紧凑的外形尺寸、高功率密度和系统可靠性。TO-247 LL（长引线）是一种深受市场欢迎的通孔封装，可以简化器件在设计中的集成，并沿用成熟的封装工艺。
利用其卓尔不凡的霍尔效应 3D 位置传感器产品系列的成员 HAL/HAR 3936*，进一步扩展了其的 Micronas 3D HAL? 位置传感器系列。HAL/HAR 3936 是磁位处理技术的重大进步，旨在满足现代汽车和工业应用场景的苛刻要求。
diodes半导体　传统的光耦继电器方案存在光衰问题，其性能会随着时间的推移而退化，但光耦继电器的优势是无电磁干扰问题，这也是限制高压系统中光耦替代的重要因素之一。纳芯微NSI7258通过巧妙的设计，实现了业内卓越的EMI表现，在单板无磁珠的条件下即可轻松通过CISPR25 Class 5测试，并且在全频段测试中均留有充足裕量。NSI7258基于全半导体工艺进行生产，在长期使用中具有更高的可靠性。
　　现有2款采用新型 P2 产品演示板可供展示：一款是 CGD 与法国公共研发机构 IFP Energies nouvelles 合作开发的单相变三相汽车逆变器演示板；另一款是3kW图腾柱功率因数校正演示板。
　　TCKE9系列产品具有电流限制和电压钳位功能，可保护供电电路中的线路免受过流和过压状况的影响，这是标准物理熔断器无法做到的。即使发生异常过流或过压，也能保持指定的电流和电压。

在振动频率为10Hz-2000Hz，加速度147m/s?的振动测试中，产品瞬断时长≦1μs。满足高频振动环境下，设备对连接器公母端子间的接触稳定性要求。
diodes半导体Nexperia发现这也是造成目前市场上许多SiC器件的性能受限的因素之一，新推出的SiC MOSFET采用了创新型工艺技术特性，实现了业界领先的RDSon温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDSon的标称值仅增加38%。
　　英飞凌表示，在 16MHz Arm Cortex-M0 MCU 上进行内部处理，该 MCU 与 1MB 的嵌入式串行闪存共享空间，该闪存使用软件预编程，“提供命令接口来配置和使用模块”，无需编程。可以进行无线更新。
产品支持单通道、双通道、四通道SPI接口，数据吞吐量高达480Mb/s，容量高达128Mb，写入/擦除次数达10万次，广泛适用于对高速读取性能、高可靠性和长寿命有严格要求的应用场景，覆盖工业应用、车载应用、影音娱乐、智能家居等领域。