罗姆芯片

　　在采用这些新的STM32H7 MCU后，设备厂商可以更快、更经济地开发智能家电、智能楼宇控制器、工业自动化和个人医疗设备，满足终端市场用户日益增长的需求。具体用例包括增加更丰富多彩的图形用户界面，同时执行多个不同的功能。这些设计往往需要用微处理器(MPU)才能实现。
罗姆芯片　　SQ100 的 SPAD 分辨率为 768 (H) x 576 (V)，具有 3×3，6×6，3xn 等多种 binning 方式；在垂直方向可按照4/8/16个像素进行分区，在水平方向可按照8/16/32/48/64/…/256个像素进行分区。SQ100 提供了超灵活分区的 2D 可寻址方案，在真正解决行业长期面临的”高反污染”（Blooming）问题的同时，还能保持高帧率和远测距能力，扫清了 VCSEL+SPAD 量产路线上重要的性能阻碍。
　　嵌入式行业对基于RISC-V的开源处理器架构的需求日益增长，但在商用芯片或硬件方面的选择仍然有限。为了填补这一空白并推动创新，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）宣布推出PolarFire SoC Discovery工具包。通过为嵌入式处理和计算加速提供用户友好、功能丰富的开发工具包，Microchip可帮助各种水平的工程师采用新兴技术。

　　研华的ROM-2620采用标准的OSM尺寸(30 x 30mm)，具有332引脚，以满足物联网应用日益增长的小尺寸需求。由于采用LGA封装，ROM-2620能有效抵抗振动、冲击和其他机械压力，因此适用于在恶劣的环境中运行的物联网边缘设备。
该前端提供信号调理和频率控制功能，驱动发射端的高分辨率PWM信号发生器，采用4.1V到24V直流电源，还包含MOSFET栅极驱动器和USB充电D+/D-接口。此外，STWBC2-HP系统封装SiP可以与意法半导体的STSAFE-A110安全单元配套，提供Qi兼容设备验证功能。
罗姆芯片「S-19990/9系列」是36V工作的升压型DC-DC控制器，因工作电压可确保从3V(业界(※1))开始，适宜构建备用电源的升压电路。可以选择400kHz振荡频率或2.2MHz振荡频率。
　分区 UFS（ZUFS）：美光 UFS 4.0 现支持主机指定不同的数据存储区域，以提升设备的长期使用体验。ZUFS 能够有效应对写入放大现象，在不降低设备性能的前提下，尽可能利用有限的编程和擦除周期，从而延长智能手机使用寿命，并长期保持流畅的使用体验。
　　随着工业设备的高功能化，配备的电子元件数量也在不断增加，因此，传感器封装需要实现小型化。此外，由于工业设备的自动化程度不断提高，获取动态姿态角和自身位置的需求也在不断增加。

即将推出的 3C6000/3D6000/3E6000 系列服务器级处理器已成功取样并返回，这些首批芯片目前正在测试中。龙芯计划在 2024 年第四季度发布 3C6000 系列，与其路线图完全一致。
罗姆芯片　　纳微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功将高功率能力和行业的低导通电阻（20至55mΩ）相结合，并针对如AI数据中心电源、电动汽车充电和储能以及太阳能解决方案等应用所需的快开关速度、效率和更高功率密度特性进行了专项优化。
　　TSZ151的工作电压为 1.8V，可以与低压微控制器等系统中的其他 IC共用电源轨。轨到轨输入和输出有助于限度地提高动态范围。该运算放大器还具有非常低的功耗，在 5V 电压下仅消耗 210μA，而低电源电压特性可以延长电池的续航时间。
　　RDSon是SiC MOSFET的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗。然而，许多制造商只关注标称值，而忽略了一个事实，即随着设备工作温度的升高，RDSon相比室温下的标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的传导损耗。