zener diodes

　　该产品将 TDK 独特的设计知识用于设计内部结构，高频性能等同或优于传统产品。比如，电感器的内部结构设计能够降低因设备安装点中的裂纹导致断路故障的几率。结合汽车电路板制造指引，TDK MHQ1005075HA 电感器大幅提升了在汽车环境中的可靠性。TDK将进一步扩大产品线，满足不断变化的客户需求。
zener diodes　　株式会社村田制作所开发了一款低损耗多层陶瓷电容器（MLCC）新品，该产品支持100V的额定电压，具有0402M的超小尺寸（0.4 x 0.2mm），主要用于无线通信模块，并于2024年2月开始量产。
　　安费诺的MicroSpace高压选择性负载线缆压接连接器是一项颠覆性的解决方案，设计独特，既符合LV214 Severity-2标准，又允许存在间距偏差和提供高压性能。本篇博文将深入解析这项非凡连接器系统所具有的卓越性能和优点，以及其广泛用途。

　　HT32F53231/HT32F53241/HT32F53242/HT32F53252操作电压为2.5V~5.5V，操作温度范围提升至-40℃~105℃工业温度范围，指令周期可达60MHz，Flash容量为128KB，SRAM容量达16KB，搭载6通道PDMA，支持独立VDDIO管脚，可连接与MCU VDD电压不同的组件。
TAS8240 是一款基于 TMR 的紧凑型传感器，带有冗余，经济实惠，由 4 个惠斯通电桥组成，适用于角度检测
　　在 -40℃ 至 +150℃ 的环境温度范围内，角度精度可达±1.0°
zener diodes　　此传感器专为汽车和工业应用场景而设计，可在 -40℃ 至 160℃ 的环境温度范围内工作，具体取决于电源电压范围。此传感器十分紧凑且用途广泛，并提供十六针 SSOP16 SMD 包装。
　　GR-24-093525-240327-MPD-PR-Serial-SCRAM-388522.jpg并行RAM需要大型封装和至少26-35个单片机（MCU）I/O接口，而Microchip串行SRAM器件采用成本较低的8引脚封装，并采用高速SPI/SQI通信总线，只需要4-6 个MCU I/O 引脚即可轻松集成。这减少了对更昂贵、高引脚数MCU的需求，有助于限度地减少整个电路板的尺寸。
　　AI Server PSU 的 AC/DC 级采用多级 PFC 实现，功率密度可达到 100 W/in以上，效率可达 99.5%。与使用 650 V SiC MOSFET 的解决方案相比，效率提高了 0.3 个百分点。
　　通过在 DC/DC 级实施 CoolGaN 晶体管，AI 服务器 PSU 的系统解决方案得以完成。

　　Laird Connectivity Sera NX040开发套件可用于展示Sera NX040 UWB和BLE模块的特性和功能。此套件包括一块带USB和MHF4L连接器以及NanoUWB、2.4GHz FlexPIFA和NFC天线的开发板。要运行双向测距演示，需要两个开发套件和BL654 USB适配器 (451-00004)。而要运行3D定位演示，则需要四个开发套件及BL654 USB适配器。
zener diodes　　 第三代高通S5音频平台采用基于高通S7音频平台的全新标准架构，支持开发者更轻松地打造产品。第三代高通S5音频平台的AI性能是前代平台2的50倍，得益于AI增强的高通自适应主动降噪（ANC）和语音处理技术可以赋能快速响应且无缝的音频体验，并以超低功耗带来持续的性能表现。
　 可靠性验证：包括SI/PI测试、长稳测试、掉电专项测试、产品生命周期测试、环境气候测试、中长期测试、MTBF测试、UBER测试等内容，涵盖可靠性的多个方面，确保产品的高可靠；
　　兼容适配验证：覆盖业界主流厂家主流机型的40+种配置，验证内容包括软件及硬件的兼容性测试，可为业务提供稳定的存储支持。
　　50Ω 端接功率处理为 24dBm，封装设备可在 25°C 时处理 1W，在 +95°C 时处理 0.3W。
　　工作电压为 3 至 3.6V – 通常消耗 50μA（ 200μA）。
　　切换时间为 750ns（ 1.5μs）。
　　东芝射频开关 TCWA1225G东芝表示，晶圆级封装上的端子位于球栅上，“所有重要的焊盘，包括射频端子、电源和控制都位于设备的外围，以简化 PCB 布局”。